項(xiàng)目簡(jiǎn)介
顯微結(jié)構(gòu)表征是指通過(guò)顯微鏡等儀器來(lái)研究無(wú)機(jī)材料、復(fù)合材料、各種新材料等的顯微組織大小、形貌、分布、數(shù)量的一種方法。
由于對(duì)復(fù)雜結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量、快速分析和成像的需求日益增加,高級(jí)(掃描)透射電子顯微鏡 (S)TEM 已成為所有前沿晶片制造工作流程的必要部分。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)師需要提供出色的靈活性和穩(wěn)定性以及高分辨率成像的分析工具,以便正確分析和優(yōu)化器件性能。
除了成像外,還可對(duì) (S)TEM 儀器使用一系列對(duì)半導(dǎo)體器件表征至關(guān)重要的技術(shù),包括:用于晶體定向映射或應(yīng)變分析的電子衍射、用于定性或定量成分分析的能量散射 X 射線譜 (EDS) 和用于成分和化學(xué)信息的電子能量損失譜 (EELS)。
服務(wù)范圍
支持截面觀察、量測(cè)與成分分析、與制備高質(zhì)量的TEM樣品等。
常用檢測(cè)方法
FIB、SEM、TEM、球差TEM、EDS、EELS等。
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