電子元器件失效分析是電子元器件廣泛應(yīng)用和開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過(guò)分析元器件在使用過(guò)程中可能出現(xiàn)的問(wèn)題和隱患,對(duì)失效的元器件進(jìn)行測(cè)試和分析,以確定失效原因。幫助客戶(hù)及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決元器件故障,從而保障整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
項(xiàng)目介紹
電子元器件失效分析是電子元器件廣泛應(yīng)用和開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過(guò)分析元器件在使用過(guò)程中可能出現(xiàn)的問(wèn)題和隱患,對(duì)失效的元器件進(jìn)行測(cè)試和分析,以確定失效原因。幫助客戶(hù)及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決元器件故障,從而保障整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。
測(cè)試范圍
電子元器件
測(cè)試項(xiàng)目
形貌分析技術(shù)——體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線(xiàn)透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束。
成分檢測(cè)技術(shù)——X射線(xiàn)能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質(zhì)譜SIMS、光譜、色譜、質(zhì)譜。
電分析技術(shù)——I-V曲線(xiàn)、半導(dǎo)體參數(shù)、LCR參數(shù)、集成電路參數(shù)、頻譜分析、ESD參數(shù)、電子探針、機(jī)械探針、絕緣耐壓、繼電器特性。
開(kāi)封制樣技術(shù)——化學(xué)開(kāi)封、機(jī)械開(kāi)封、等離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、化學(xué)腐蝕、切片。
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
GJB 536B-2011 電子元器件質(zhì)量保證大綱
GJB 33A-1997 半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范
GJB 548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序
GJB 597A-1996 半導(dǎo)體集成電路總規(guī)范
GJB 841 故障報(bào)告、分析和糾正系統(tǒng)
GJB 65B-1999 有可靠性指標(biāo)的電磁繼電器總規(guī)范
GJB 450A 裝備可靠性工作通用要求
儀器設(shè)備
借助2000+大型儀器設(shè)備和豐富的處理方案,針對(duì)各行業(yè)研發(fā)分析中的難題,提供技術(shù)支撐和指導(dǎo)。
技術(shù)團(tuán)隊(duì)
由20多名博士、100余名碩士組成的技術(shù)過(guò)硬、經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)團(tuán)隊(duì),具備科研檢測(cè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。
定制化服務(wù)
根據(jù)客戶(hù)需求和行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn),定制化測(cè)試方案,全程跟蹤測(cè)試情況。
能力全面
在華東、華中、華北、西北地區(qū)分別建有大型綜合檢測(cè)基地,具有行業(yè)頂尖的檢驗(yàn)檢測(cè)分析實(shí)驗(yàn)室。