項(xiàng)目簡(jiǎn)介
在吸收紫外和可見電磁輻射的過程中,分子受激躍遷至激發(fā)電子態(tài),大多數(shù)分子將通過與其它分子的碰撞以熱的方式散發(fā)掉這部分能量,部分分子以光的形式放射出這部分能量,放射光的波長(zhǎng)不同于所吸收輻射的波長(zhǎng)。后一種過程稱作光致發(fā)光?;诨衔锏臒晒鉁y(cè)量而建立起來的分析方法稱為分子熒光光譜法。
被測(cè)的熒光物質(zhì)在激發(fā)光照射下所發(fā)出的熒光,經(jīng)過單色器變成單色熒光后照射于光電倍增管上,由其所發(fā)生的光電流經(jīng)過放大器放大輸至記錄儀。一個(gè)激發(fā),一個(gè)發(fā)射,采用雙單色器系統(tǒng),可分別測(cè)量激發(fā)光譜和熒光光譜。
常見項(xiàng)目
穩(wěn)態(tài)熒光光譜:基于化合物的熒光測(cè)量而建立起來的分析方法稱為分子熒光光譜法。
變溫?zé)晒夤庾V:溫度不僅對(duì)熒光強(qiáng)度有著影響,還時(shí)常會(huì)影響到熒光光譜的形狀和波長(zhǎng)。熒光發(fā)射組分的摩爾消光系數(shù)(或者叫輻射速率常數(shù))通常對(duì)溫度有微弱的依賴關(guān)系。然而,受振動(dòng)耦合控制的非輻射速率常數(shù)則受到溫度的強(qiáng)烈影響,并隨溫度的升高而增加。這意味著隨著溫度的升高,熒光強(qiáng)度將會(huì)降低。同樣,碰撞猝滅也會(huì)隨溫度升高,也會(huì)導(dǎo)致熒光強(qiáng)度降低。熒光還在很大程度上受熒光發(fā)射分子周圍分子的影響。在液氮或液氦冷卻下測(cè)量的熒光實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,低溫下不僅熒光強(qiáng)度會(huì)增加,而且熒光激發(fā)和發(fā)射光譜中的振動(dòng)結(jié)構(gòu)數(shù)量也會(huì)增加。在低溫下,碰撞猝滅下降,非輻射速率常數(shù)也將減小,帶來熒光輻射強(qiáng)度的增加。在室溫下的熒光光譜中,會(huì)出現(xiàn)多環(huán)芳香烴類分子的振動(dòng)峰。
熒光瞬態(tài)壽命:熒光壽命檢測(cè)是用于判斷物質(zhì)激發(fā)態(tài)壽命和載流子動(dòng)力學(xué)過程的常用技術(shù)之一。當(dāng)某種物質(zhì)被一束激光激發(fā)后,該物質(zhì)的分子吸收能量后從基態(tài)躍遷到某一激發(fā)態(tài)上,再以輻射躍遷的形式發(fā)出熒光回到基態(tài)。當(dāng)去掉激發(fā)光后,分子的熒光強(qiáng)度降到激發(fā)時(shí)的熒光最大強(qiáng)度的1/e所需要的時(shí)間,稱為熒光壽命,常用τ表示。
熒光量子產(chǎn)率:熒光量子產(chǎn)率也叫熒光效率或量子效率,它表示物質(zhì)發(fā)射熒光的能力,在產(chǎn)生熒光的過程中,涉及到許多輻射和非輻射躍遷過程,如熒光發(fā)射、內(nèi)轉(zhuǎn)移、系間竄躍和外轉(zhuǎn)移等。熒光的量子產(chǎn)率,將與上述每一個(gè)過程的速率常數(shù)有關(guān)。熒光量子產(chǎn)率為內(nèi)量子產(chǎn)率。
三維熒光測(cè)試:三維熒光圖譜是描述熒光強(qiáng)度同時(shí)隨激發(fā)波長(zhǎng)和發(fā)射波長(zhǎng)變化的關(guān)系圖。三維熒光光譜則是由激發(fā)波長(zhǎng)(y軸))一發(fā)射波長(zhǎng)(x軸)一熒光強(qiáng)度(z軸)三維坐標(biāo)所表征的矩陣光譜(Excitation—Emission—Matrix Spectra),也叫總發(fā)光光譜 (Total luminescence Spectra)。通常的熒光光譜是熒光強(qiáng)度對(duì)發(fā)射波長(zhǎng)掃描所得的平面圖。三維熒光光譜技術(shù)不僅能夠獲得激發(fā)波長(zhǎng)與發(fā)射波長(zhǎng),同時(shí)能夠獲取變化時(shí)的熒光強(qiáng)度信息。三維熒光光譜圖一般有三維投影圖和等高線熒光光譜圖這兩種表示方式。
結(jié)果展示
常見問題
1. 上轉(zhuǎn)換熒光量子產(chǎn)率是如何計(jì)算的?
上轉(zhuǎn)換熒光量子產(chǎn)率=(樣品發(fā)射波長(zhǎng)面積-背景發(fā)射波長(zhǎng)面積)/(背景激發(fā)波長(zhǎng)面積-樣品激發(fā)波長(zhǎng)面積)
2. 測(cè)試的熒光量子產(chǎn)率是內(nèi)部量子產(chǎn)率還是外部量子產(chǎn)率?
是內(nèi)量子產(chǎn)率,屬于絕對(duì)量子產(chǎn)率;
3. 外部量子產(chǎn)率和內(nèi)部量子產(chǎn)率啥意思?
外量子產(chǎn)率=樣品發(fā)射光子數(shù)/入射到樣品的光子數(shù);內(nèi)量子產(chǎn)率=樣品發(fā)射光子數(shù)/樣品吸收光子數(shù)。
4. 發(fā)光量子產(chǎn)率是什么?
發(fā)光物質(zhì)吸光后所發(fā)射光的光子數(shù)與所吸收的激發(fā)光的光子數(shù)之比值。在通常情況下,發(fā)光量子產(chǎn)率的數(shù)值總是小于1。發(fā)光量子產(chǎn)率的數(shù)值越大,化合物的熒光或磷光越強(qiáng)。不發(fā)光的物質(zhì),其發(fā)光量子產(chǎn)率的數(shù)值為零或非常接近于零。
5. 絕對(duì)量子產(chǎn)率和相對(duì)量子產(chǎn)率的區(qū)別是什么?
絕對(duì)量子產(chǎn)率的最大優(yōu)勢(shì)是不需要標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行對(duì)比即可得到測(cè)試結(jié)果:可以測(cè)試固體薄片或者粉末;可以測(cè)試近紅外范圍的量子產(chǎn)率;測(cè)試數(shù)值穩(wěn)定,可重復(fù)性較好;不用由于標(biāo)準(zhǔn)品引起測(cè)試的巨大誤差。而傳統(tǒng)的相對(duì)量子產(chǎn)率測(cè)試方法需要樣品必須與一個(gè)已知量子產(chǎn)率的標(biāo)準(zhǔn)品進(jìn)行比較,然后得到一個(gè)相對(duì)的量子產(chǎn)率數(shù)值,因而傳統(tǒng)的相對(duì)測(cè)試方法需要滿足以下條件:樣品必須精確的與吸收波長(zhǎng)相匹配;樣品的激發(fā)和吸收必須在相同的光譜范圍。